關(guān)于銀漿與單晶硅的歐姆接觸好壞判斷
我見文獻(xiàn)上測歐姆接觸方法CTLM 傳輸線法 都是蒸鍍或是光刻蝕法制成要求很精細(xì)的圖形，大概50微米。
而我只能將銀漿絲網(wǎng)印刷在硅基片上，不知如何測得歐姆接觸電阻，還望各位高人不吝賜教，先謝了。