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第二屆金剛線切割與黑硅技術(shù)論壇將于9月中旬在無錫召開

   2017-08-04 PV-Tech49190
核心提示:基于單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢,金剛線切割單晶硅片已基本取代傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,大幅增強(qiáng)
基于單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢,金剛線切割單晶硅片已基本取代傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,大幅增強(qiáng)了單晶硅片的成本競爭力,2016年單晶硅太陽電池市場份額回升至25%以上。在此背景下,多晶硅行業(yè)也正在努力推進(jìn)從砂漿切割工藝到金剛線切割的升級換代。

金剛線切割多晶硅片主要面臨斷線風(fēng)險(xiǎn)和制絨困難兩大問題。金剛線制備與應(yīng)用技術(shù)的優(yōu)化可以有效降低金剛線切多晶硅時(shí)鑄錠晶體硬點(diǎn)導(dǎo)致的斷線風(fēng)險(xiǎn)。而制絨添加劑技術(shù)、黑硅技術(shù)或預(yù)處理技術(shù)則可以解決金剛線切割的多晶硅片反射率高,制絨困難的問題。

金剛線切割多晶制絨添加劑技術(shù)不改變原有設(shè)備,增加專用添加劑,降低反射率至接近常規(guī)。而黑硅技術(shù)則可以優(yōu)化陷光效果,提高多晶太陽電池效率。黑硅技術(shù)分為干法黑硅與濕法黑硅兩種技術(shù)路線,各具優(yōu)勢,都已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn),并可進(jìn)一步升級優(yōu)化。

金剛線切割多晶硅片和黑硅技術(shù)的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距,而黑硅與PERC、SE和MWT等技術(shù)的組合可以進(jìn)一步提升多晶電池的量產(chǎn)效率,增強(qiáng)多晶硅太陽電池路線的競爭力。預(yù)計(jì)光伏市場對電池及組件成本降低和效率提升的持續(xù)要求,將為金剛線切割和黑硅技術(shù)帶來良好的市場機(jī)遇。

據(jù)PV-Tech最新消息,亞化咨詢主辦的第二屆金剛線切割與黑硅技術(shù)論壇將于2017年9月18日在江蘇無錫召開。會議將探討光伏行業(yè)展望與金剛線切割和黑硅技術(shù)市場前景,金剛線切割效率提升與工藝優(yōu)化,金剛線切割多晶硅片的挑戰(zhàn)與解決方案,干法黑硅與濕法黑硅工藝路線優(yōu)化,黑硅電池批量生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)升級,黑硅電池與其他提升效率技術(shù)的組合應(yīng)用等。 
 
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