美國哈佛大學(xué)技術(shù)開發(fā)局（OTD）和美國SiOnyx于近日宣布，哈佛大學(xué)將向SiOnyx提供名為“黑硅（Si）”的特殊硅材料的專利授權(quán)。SiOnyx將獲得哈佛大學(xué)黑硅相關(guān)專利的獨(dú)占使用權(quán)，爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)商用化。

    據(jù)了解，黑色硅材質(zhì)是電子產(chǎn)業(yè)革命性的新材料，根據(jù)材料顯示，黑硅的光敏感度是傳統(tǒng)硅材質(zhì)的100至500倍，同時(shí)比傳統(tǒng)材質(zhì)更輕。哈佛大學(xué)的物理學(xué)家Eric Mazur表示，創(chuàng)造這種特殊的硅材質(zhì)，需要通過強(qiáng)大的激光束照射硅晶片，所需要的激光功率約相當(dāng)于太陽在一瞬間照射地球表面的所有光的強(qiáng)度。

    黑硅的研究始于90年代末，Eric Mazur教授研究小組的某個(gè)研究提案，不過該提案獲得了美國軍隊(duì)的資助。據(jù)Mazur博士透露，“我的軍隊(duì)贊助資金即將耗盡”“我只是根據(jù)之前的研究提案寫了一個(gè)研究方向”。

    不過黑硅被發(fā)現(xiàn)在電子顯微鏡下具有如森林狀的小波峰。研究人員發(fā)現(xiàn)，這種材質(zhì)的光感性比傳統(tǒng)硅材質(zhì)強(qiáng)100倍至500倍。今后，這種材質(zhì)將可以用在太陽能電池和光傳感器，數(shù)碼相機(jī)和數(shù)碼拍攝設(shè)備上，同時(shí)，夜視系統(tǒng)中也可以使用這種材質(zhì)。

    另外，這種黑硅也可檢測(cè)出不與普通硅發(fā)生反應(yīng)的紅外線。另外黑硅的制造工藝可嵌入到目前半導(dǎo)體制造工藝中，不需要使用新材料。

    SiOnyx是旨在將哈弗大學(xué)的研究成果應(yīng)用于商業(yè)目的而成立的企業(yè)。已從風(fēng)險(xiǎn)投資公司等籌集了1100萬美元的資金。